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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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1F＝106μF1μF＝106PF晶体二管在电路中有什么作用呢？
我们将晶体二管接在图3-1电路中的开关位置上（如图3-3（A））。灯泡发光，说明这时二管导通，二管的电阻（称为正向电阻）很小。若将二管两引脚对调（如图3-3（B）），这时小灯泡就不亮了。这时二管的电阻（称为反向电阻）很大，电路中几乎没有电流。这个现象说明二管有单向导电的特性。利用二管的这个特性，可使用二管进行检波和整流。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:
1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。
2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。
以上两项参数在使用中都不能超过，否则二管将损坏。
还有一些用途的二管，如光电二管、发光二管等，也在电子制作中经常用到。
（二）晶体三管
晶体三管也是用半导体材料制成的，由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。
现代的IC产业按化发展已演变成相互独立的设计业，芯片制造业，封装测试业，除一 些大IC企业集团仍是各业具全外，大多数的IC企业只是从事其中的某一。我国对IC研制起步并不晚，但目前整个产 业的各个方面和世界的差距甚大，我国需求的IC本地化配套只有10％左右。国内现有IC设计企业数百家，IC封装测试数十家，IC芯片生产 企业几家。除华虹NEC外，整个产业水平仍是 较低的。国家对发展IC这一战略产业重视， 2000年18号文发布了发展软件和集成电路的若干，予集成电路发展大力扶持，上海、北京、深圳等地也颁布了许多优惠及扶持，省政府领导多次强调要抓紧发展集成电路，相信我省的IC产业会很快有突破性发展。