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任何一种电子设备或电子装置都是由电子元器件组成的，它们在电路中起着不同的作用，共同完成某种特定的“任务”。概括起来讲，电子元器件在电路中有以下几种作用。
一，电压交换
所说的电压交换有 3 方面的含义。一是电压高、低变换。将交流或直流高电压变换为需要的低电压，或者将交流或直流低电压变换为需要的高电压。对交流电压进行高、低变换一般需要使用变压器，对直流电压进行高、低变换则需要较为复杂的电子线路。二是交、直流变换，即将市电 220V 通过整流、滤波变换为电子线路（简称电路）所需要的直流电压或是将直流电通过逆变装置变换为交流电压，例如轿车修理中将蓄电池的直流 12V 变换为交流220V。三是稳压。利用稳压器件或稳压电路，将电压不太稳定的直流或交流电压变为非常稳定的电压，前者称为直流稳压，后者称为交流稳压。
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8. 开关（Switch）作用:控制电路的开关状态，允许或阻止电流流动。 应用:电源控制、信号选择等。
9. 继电器（Relay）
作用:通过电流控制开关，隔离电路。
应用:自动控制、保护电路、信号切换等。
10. 传感器（Sensor）
作用:检测物理量（如温度、光、压力等）并转换为电信号。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
软磁材料是容易磁化也容易退磁的磁性材料。金属软磁材料主要有铁硅合金、坡莫合金等；铁氧体软磁材料主要有锰锌铁氧体(重量产量占6096)镁锰锌铁氧体(占35％)和高频用镍锌铁氧体材料等。磁记录材料是磁记录、磁光记录中的数据载体材料和信息读写磁头的材料。作为磁记录材料，主要是各类磁粉(氧化铁、金属磁粉等)和基片材料(塑料薄膜、金属薄膜、玻璃片等)。作为磁头材料，主要是坡莫合金、铁氧体材料、镍铁薄膜、磁阻及巨磁阻材料等。作为磁光记录材料，主要有重稀土--过渡族金属非晶薄膜、多晶调制薄膜和石榴石多晶薄膜等。