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电子元器件是指用于电子设备中的各种电子部件，是电子设备的基本组成部分。它们可以控制电流、电压和电阻，从而实现电子设备的各种功能。以下是一些常见电子元器件的作用及其特点解析:
1.电阻器
作用:限制电流流动，分配电压，保护电路。
特点:
阻值:以欧姆（Ω）为单位，决定电流的大小。
功率:以瓦特（W）为单位，表示其能承受的最大功率。
类型:包括固定电阻和可变电阻（电位器）。
2.电容器
作用:存储电能，滤波、耦合和去耦信号。
特点:
电容值:以法拉（F）为单位，表示其存储电荷的能力。
耐压:最大工作电压，超过此值可能损坏。
类型:包括陶瓷电容、铝电解电容和薄膜电容等。
3.电感器
作用:储存磁能，滤波和抑制高频噪声。
半导体材料半导体材料的品种门类繁多。从材料构成看，主要是硅半导体材料和化合物半导体材料二大类；从工艺构成看，主要是单晶片和外延片二大类。所谓外延，就是通过精密的物理或化学等方法在衬底材料上生成所需要的半导体功能材料。 硅单晶材料是目前世界上用量大的半导体材料，世界95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路是用硅材料制作的。，目前世界上硅单晶的主流产品是8英寸，12英寸亦已开始生产，研制水平已达到16英寸，而我国大量生产的是4-6英寸，8英寸只是小批量生产。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
在一些芯片的电源管脚，采用LC滤波，有时会在L之后串联一个几欧姆的电阻，电阻起到全频段滤波的作用，还有一个作用就是降低电路的品质因数Q，Q定义为回路发生谐振时，储存能量与一周期内消耗能量之比。Q=（LC）^1/2 / R。RC电路的是电阻和电容一起使用的。晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基、发射和集电处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路(可理解为，设置PN结正、反偏的电路)，偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。