龙岗电子IC回收快速处理
本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
在高频信号下，充当电感或电容。（与外部电路特性有关）电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间。5.分割区上的抗干扰。跨接时用于电流回路，当分割电地平面后，造成信号短回流路径断裂，此时，信号回路绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。
6.布线布不过去时，可以使用0Ω电阻，但是一般不建议使用。
半导体照明:关键设备还很薄弱。我国LED完整的产业链已基本形成，在上游外延生长、中游芯片、下游封装与应用各环节均已进入量产阶段，不过目前在相应的关键设备方面还薄弱。据专家介绍，上游外延材料已实现了量产，但产业化水平不高，而外延和芯片制造的关键设备主要还是依赖；中游芯片制造与国外差距不大，GaN基LED芯片依赖的面正在改变，但企业规模与国外大公司相比差距较大；下游封装实现了大批量生产，我国正在成为世界重要的中低端LED封装基地；半导体照明光源及灯具已批量出口销售。我国LED市场规模平均增长率为34%。“十五”期间，在“国家半导体照明工程”的组织实施过程中，通过自主技术，材料研究与开发方面取得了许多重要突破并达到世界或领先水平；在材料的制备、结构与性能表征等基础研究方面取得了一批具有世界水平的成果。