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芯片和集成电路的区别
芯片和集成电路(Integrated Circuit)是密切相关的术语，但它们在某些方面有所区别:
定义:芯片(Chip)是指制造完整电子系统或设备所需的各种集成电路的集合，可以包括多个IC。而集成电路是把多个电子元件集成在一块半导体材料上的电子器件，可能是芯片中的一个组成部分。
含义:芯片强调了整个电子系统的概念，它可以包括多个IC、传感器、存储器等。而集成电路更侧重于描述将多个电子元件集成在同一块芯片上的技术和构造。
应用范围:芯片通常用于描述具有更高级功能的电子系统，例如移动设备、计算机、汽车等。而集成电路的应用范围更广泛，可以涵盖从简单的数字逻辑门到复杂的微处理器等。
虽然IC、芯片和集成电路这三个术语有着交叉和重叠的含义，但它们在使用时可以根据上下文的需要来区分。芯片侧重于整个电子系统的概念，而IC和集成电路更注重于单个或多个电子元件的集成和构造。在实际应用中，它们都扮演着重要的角色，推动着现代电子技术的发展和进步。
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在高频信号下，充当电感或电容。（与外部电路特性有关）电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间。5.分割区上的抗干扰。跨接时用于电流回路，当分割电地平面后，造成信号短回流路径断裂，此时，信号回路绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。
6.布线布不过去时，可以使用0Ω电阻，但是一般不建议使用。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
通过各电阻的电流是同一电流，即各电阻中的电流相等；在串联电路中，电阻大的导体，它两端的电压也大，电压的分配与导体的电阻成正比，因此，导体串联具有分压作用。总电压等于各电阻上的电压降之和，在电路中应用如下图所示:在电源芯片输出管脚上一般选择分压电阻的精度很高，电阻的精度直接决定了输出电压的精度，如5%的电阻输出电压波动范围为10%，1%精度的电阻输出电压波动范围达到2%，因此选择精度高的；这个可以计算一下大致差不多的误差。二、限流/分流