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在当今科技飞速发展的时代，电子元器件如同构建科技大厦的基石，发挥着至关重要的作用。
一、什么是电子元器件？
电子元器件是组成电子电路的基本单元，包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路等。它们各自承担着特定的功能，共同协作实现电子设备的各种复杂任务。
二、常见电子元器件的功能与特点
1. 电阻
电阻的主要作用是限制电流、分压和分流。不同阻值的电阻可以调节电路中的电流大小和电压分配。电阻的特点是具有一定的阻值，其阻值大小通常用色环或数字标注。
2. 电容
电容能够储存电荷和电场能量，具有通交流、隔直流的特性。在电路中，电容常用于滤波、耦合、定时等功能。电容的容量大小以法拉（F）为单位，常见的有微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等。
3. 电感
电感是一种能够储存磁场能量的元件，具有通直流、阻交流的特性。它在电路中主要用于滤波、振荡、延迟等。电感的电感量通常以亨利（H）为单位，也有毫亨（mH）和微亨（μH）等。
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微调电阻器和电位器的标称值是它的大电阻值。如100K电位器，表示它的阻值可在零至100千欧内连续变化。2．额定功率。 指电阻器正常工作时允许的大功率。超过这个值，电阻器将过分发热而烧毁。在本章所涉及的电子制作中，如无要求，电阻器均采用1/8w的碳膜电阻。
两个彼此缘、互相靠近的导体就构成了一个电容器。两个导体叫作电容器的两个，分别用导线引出。电容器的文字符号是C。它的大小用电容量来衡量。电容量的基本单位是法拉（用F表示），还有较小的单位微法（μF）和皮法（PF），这三个单位的换算关系是:
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
对共射放大电路来说，主流是从发射到集电的IC，偏流就是从发射到基的IB。相对与主电路而言，为基提供电流的电路就是所谓的偏置电路。偏置电路往往有若干元件，其中有一重要电阻，往往要调整阻值，以使集电电流在设计规范内。这要调整的电阻就是偏置电阻。偏置:在电路某点给一个参考分量，使电路能适应工作需要。偏置可以是DC偏置，也可以是AC偏置。也可分为电流偏置和电压偏置。常见的是DC偏置。即电路某点经过一个起偏置作用的元件接到某个DC电源上。例如单级三管发射放大电路，至少需要一个基偏置电阻。由于三管放大电路经常用电流放大系数来计算放大效果。因此偏置电阻定义为电流偏置电阻，以便于计算和分析。CMOS 门电路输入端，接的上拉电阻或下拉电阻，一般可认为是电压偏置电阻。因为通过这个电阻的电流很少，电阻基本上是给门输入端一个静态参考电压。交流偏置的一个典型应用例子:录音机的交流偏磁。