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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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如上图，UART2_TX_3V3信号线上高电平是3.3V，而后端信号EXT_UART_5V需要5V的电平，这时可以用N-MOS来实现电平转换（2）电压通断
可以用P-MOS实现电源开关
如上图，VDD_ENCODE_3V3的电源是来自VDD_MCU_3V3，用ENCODE_EN来控制。但需要注意前提是VCC_NCU3V3跟ENCODE_EN的高电平是同电位的。
图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:
1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。
2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。
以上两项参数在使用中都不能超过，否则二管将损坏。
还有一些用途的二管，如光电二管、发光二管等，也在电子制作中经常用到。
（二）晶体三管
晶体三管也是用半导体材料制成的，由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。
2 防电磁辐射纺织品电磁屏蔽是采用低电阻率的导电材料对电磁流具有的反射和引导作用，在导体材料内部产生与原磁场相反的电流和磁化，从而减弱原电磁场的辐射效果。用作防电磁辐射的导电纤维要求其电阻率很低。近年来，由于电子电器设备和通信设备的广泛应用，电磁辐射的干扰使设备产生的误操作、图像声音障碍以及对人体的危害等，引起人们对开发电磁屏蔽材料的关注。低电阻率的导电纤维的开发和市场的紧俏，也正是由此引发。利用导电纤维的电磁波屏蔽性，可将其用于制作精密电子元件、高频焊接机等电磁波屏蔽罩，制作有要求的房屋的墙壁、天花板及吸收无线电波的贴墙布等。日本应用表面敷铜的导电纤维混纺或制成非织造布，现已大量用于电磁波屏蔽和吸收材料，如作轮船的电磁波吸收罩等。
软磁材料是容易磁化也容易退磁的磁性材料。金属软磁材料主要有铁硅合金、坡莫合金等；铁氧体软磁材料主要有锰锌铁氧体(重量产量占6096)镁锰锌铁氧体(占35％)和高频用镍锌铁氧体材料等。磁记录材料是磁记录、磁光记录中的数据载体材料和信息读写磁头的材料。作为磁记录材料，主要是各类磁粉(氧化铁、金属磁粉等)和基片材料(塑料薄膜、金属薄膜、玻璃片等)。作为磁头材料，主要是坡莫合金、铁氧体材料、镍铁薄膜、磁阻及巨磁阻材料等。作为磁光记录材料，主要有重稀土--过渡族金属非晶薄膜、多晶调制薄膜和石榴石多晶薄膜等。