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电子元器件是指用于电子设备中的各种电子部件，是电子设备的基本组成部分。它们可以控制电流、电压和电阻，从而实现电子设备的各种功能。以下是一些常见电子元器件的作用及其特点解析:
1.电阻器
作用:限制电流流动，分配电压，保护电路。
特点:
阻值:以欧姆（Ω）为单位，决定电流的大小。
功率:以瓦特（W）为单位，表示其能承受的最大功率。
类型:包括固定电阻和可变电阻（电位器）。
2.电容器
作用:存储电能，滤波、耦合和去耦信号。
特点:
电容值:以法拉（F）为单位，表示其存储电荷的能力。
耐压:最大工作电压，超过此值可能损坏。
类型:包括陶瓷电容、铝电解电容和薄膜电容等。
3.电感器
作用:储存磁能，滤波和抑制高频噪声。
在高频信号下，充当电感或电容。（与外部电路特性有关）电感用，主要是解决EMC问题。如地与地，电源和IC Pin间。5.分割区上的抗干扰。跨接时用于电流回路，当分割电地平面后，造成信号短回流路径断裂，此时，信号回路绕道，形成很大的环路面积，电场和磁场的影响就变强了，容易干扰/被干扰。在分割区上跨接0欧电阻，可以提供较短的回流路径，减小干扰。
6.布线布不过去时，可以使用0Ω电阻，但是一般不建议使用。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
光纤、光纤预制棒材料:市场需求旺盛。光通信是我国推行以信息化带动工业化，建设信息社会的基石；目前我国光纤年需求量约占1/4，产量约占1/3，能否在光通信领域掌握主动权直接关系到国家信息和国民经济能否健康稳定发展。“十五”期间，我国在光纤预制棒的研究和生产中取得显着的成果。长飞公司对PCVD进行优化改进，制备了120mm大尺寸光棒，低水峰光纤达到世界水平，同时正在开发世界上的RIC大尺寸光棒拉丝工艺技术，富通集团、法尔胜股份公司的光纤预制棒生产规模也有不同程度的扩大并有少量出口。我国已成为世界光纤预制棒和光纤生产应用大国，北京国晶辉红外科技公司研制的四氯化锗材料年生产能力达20吨，替代了大部分产品。