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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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电路中的VD1、VD2和VD3是普通二管，它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。在直流工作电压的正向偏置作用下导通，导通后对这一电路的作用是稳定了电路中A点的直流电压。电路中的二管VD1用来保护驱动三级管VT1。这种保护电路在继电器驱动和电磁铁吸铁电路中有广泛的应用。峰值检波电路是对输入信号幅值的大值进行检测，其工作原理是:当输入电压幅度大于二管正向电压时，二管导通，输出电压加在电容C1上，电容两端充电完毕，当输入电压幅值低于先前输入电压幅值时，二管处于反偏截止状态，此时，电容两端的电压基本保持不变；若再输入信号，输入电压幅度高于此时电容两端的电压（即加在二管的正向电压），二管才能导通。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
电阻器是电路板上使用相对简单常用的元件之一，有助于以热的形式耗散电能。制作电阻器的材料有多种，所以电阻器会有很多种分类方式。每个电阻器周围都有一个颜代码的环，用于指示该特定电阻器的电阻值及该电阻器的可能容差。电容器电容器是仅次于电阻器常见的元件，由两个由电介质隔开的金属板组成，主要功能是存储电荷。电容器根据其介电物质有多种分类方式。电位器可以理解成复杂版本的电阻器，电位器的阻值可以根据需要改变。电位器用于复杂设备时需要进行微调来调整其性能。电感器