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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
半导体集成电路生产还大量需要超高纯的化学试剂、各种超高纯的气体和芯片包封的化学材料，以上材料我国有开发和生产部份品种，但适用1μm以下IC生产的材料基本上仍是空白。2、光电子材料 光电子材料品种类别繁多，如按功能分类主要有:激光材料、光电探测材料、光学功能材料、光纤材料、光电显示材料、光存贮材料等。以上材料中，我国较强的是非线性光学功能材料，如研制生产居前列的偏硼酸钡(BBO) 和三硼酸钽(LBO)，可用于大功率全固态激光器等。其次是光纤材料(详见下述)；激光晶体只有掺钕钇铝石榴石能批量生产，其它基本上生产能力小；液晶材料能批量生产的只有低档的TN型。其它光电子材料虽然有不少研制单位，但大部份仍是处于实验室阶段，整体产品水平与水平差距较大。光电子材料是技术难度很高、生产投资较大的产品，不少是需要政府行为加以扶持的。
单晶硅:中小尺寸为主。太阳能级硅单晶产量的大幅增加主要是受太阳能电池市场增长的拉动，以及国产单晶炉质量提高、价格较国外单晶炉低等原因。半导体级硅单晶总的发展状况趋于平稳。在硅材料中硅抛光片的技术含量高，抛光片的发展标志着国内硅产品的进步。我国的抛光片产量上涨势头良好，抛光片主要以4、5、6英寸为主。年硅外延片的产量中，我国只占的3.3%。目前，我国大部分企业只能生产4～6英寸硅外延片，8英寸、12英寸硅外延片正在研究试制。专家介绍说，硅材料市场前景广阔，我国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为公认的事实，为世界和我国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。
广义的讲,IC就是半导体元件产品的统称,包括:1.集成电路(integratedcircuit,缩写:IC)2.二,三管.3.电子元件.再广义些讲还涉及的电子元件,象电阻,电容,电路版/PCB版,等许多相关产品. IC按功能可分为:数字IC、模拟IC、微波IC及其他IC，其中，数字IC是近年来应用广、发展快的`IC品种。数字IC就是传递、加工、处理数字信号的IC，可分为通用数字IC和数字IC。