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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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如上图，UART2_TX_3V3信号线上高电平是3.3V，而后端信号EXT_UART_5V需要5V的电平，这时可以用N-MOS来实现电平转换（2）电压通断
可以用P-MOS实现电源开关
如上图，VDD_ENCODE_3V3的电源是来自VDD_MCU_3V3，用ENCODE_EN来控制。但需要注意前提是VCC_NCU3V3跟ENCODE_EN的高电平是同电位的。
敏感元件与传感器敏感元件是能敏锐感受并获取被测量对象信息(物理的、化学的、生物的信息)的电子元件。传感器则是能将感受获取的信息转换成有用的输出信号的器件。传感器由敏感元件和转换元件构成。 传感器的信息采集作用决定了它在信息产业中的重要和作用。由于信息的多样化又决定了敏感元件和传感器的多样性。一般有物理量传感器(如光敏、热敏、力敏、电压敏、磁敏、声敏、射线敏等)，还有化学传感器(如气体敏、湿度敏等)及生物量传感器等，品种约2万多种。不同的传感器采用不同的工作原理和不同的材料工艺，其间可谓千差万别，体现了传感器产品研制和生产的多样性、边缘性和综合性。世界市场约200亿美元，我国已能批量生产热敏、力敏、磁敏、气敏、湿敏、光敏等元件，但规模和水平与国外仍有较大差距。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
1) 结构电子材料是指能承受一定压力和重力, 并能保持尺寸和大部分力 学性质(强度,硬度及韧性等)稳定的一类材料;2）结构电子材料是指除强度性能外,还有性能,或能实现光, 电, 磁,热,力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料; 2. 按组成(化学作用) 按组成(化学作用)分:无机电子材料和有机电子材料 1) 无机电子材料以可分为金属材料(以金属键结合)和非金属材料( 非金属材料，);