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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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(二)电子信息材料材料是生产基础元器件的材料。因此，这类产品可说是信息产业基础中的基础，它决定和支撑着整个电子信息产品的水平和发展。材料涉及冶金、有、化工、生物、精密设备等广阔领域，主要有半导体材料、光电子材料、电子陶瓷材料、磁性材料、生物材料、纳米材料等等。由于过去计划经济影响和自身技术资金的难度，目前材料更是我国薄弱环节，而这类产品的市场前景和效益前景却是十分可观，因此，在产业结构调整中应大力鼓励发展。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
纳米材料和纳米技术纳米是长度度量单位，1纳米(1nm)为十亿分之一米，略等于45个原子排列的长度。当超微细材料特征尺寸为1nmm -100 nm范围时，称为纳米材料。纳米级范围的材料存在着尺寸效应和量子效应，会导致电学、磁学、光学、力学等性质发生奇异的变化，例如1991年发明的碳纳米管，重量相当于钢的六分之一，强度却是钢的十倍。纳米材料的种种特异功能，将可广泛制作各种神奇功能的纳米产品。在电子工业上，有纳米磁性和磁记录材料，纳米电子陶瓷材料，纳米有机存储材料，纳米电波吸波材料，纳米导电浆料等等。实际上，各个行业都将广泛应用纳米材料。