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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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第二种——电容器。电容器是一种用来储存电荷的元器件，它的主要作用是在电路中储存电荷并释放电荷。电容器的单位是法拉（F），常见的有固定电容器和电解电容器两种。第三种——电感器。电感器是一种用来储存磁场能量的元器件，它的主要作用是在电路中储存磁场能量并释放磁场能量。电感器的单位是亨利（H），常见的有线圈电感器和铁氧体电感器两种。 第四种——二管。二管是一种具有电流单向导通性质的元器件，它的主要作用是在电路中起到整流和稳压的作用。二管的单位是安培（A），常见的有普通二管和肖特基二管两种。
半导体材料半导体材料的品种门类繁多。从材料构成看，主要是硅半导体材料和化合物半导体材料二大类；从工艺构成看，主要是单晶片和外延片二大类。所谓外延，就是通过精密的物理或化学等方法在衬底材料上生成所需要的半导体功能材料。 硅单晶材料是目前世界上用量大的半导体材料，世界95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路是用硅材料制作的。，目前世界上硅单晶的主流产品是8英寸，12英寸亦已开始生产，研制水平已达到16英寸，而我国大量生产的是4-6英寸，8英寸只是小批量生产。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
纳米材料和纳米技术纳米是长度度量单位，1纳米(1nm)为十亿分之一米，略等于45个原子排列的长度。当超微细材料特征尺寸为1nmm -100 nm范围时，称为纳米材料。纳米级范围的材料存在着尺寸效应和量子效应，会导致电学、磁学、光学、力学等性质发生奇异的变化，例如1991年发明的碳纳米管，重量相当于钢的六分之一，强度却是钢的十倍。纳米材料的种种特异功能，将可广泛制作各种神奇功能的纳米产品。在电子工业上，有纳米磁性和磁记录材料，纳米电子陶瓷材料，纳米有机存储材料，纳米电波吸波材料，纳米导电浆料等等。实际上，各个行业都将广泛应用纳米材料。