望牛墩电子料回收快速处理
本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
望牛墩电子料回收快速处理
片式元器件随着电子整机的小型化和生产，对元器件的体积要求更小，电路板上的元器件由插入式改为贴装式，片式元器件发展起来，它是无引线或短引线的片状的微型元器件。现在大多数元件都在向片式化发展。目前，世界上发达国家元器件中片式化率已达80％，世界也达50％，可以说，片式化是当前元器件的一个发展趋势。 片式元器件有片式电容、片式电阻、片式电感、片式晶体管、片式变压器，片式滤波器等等。但用量及产量大为片式电容和片式电阻，二者合计占当前片式元器件的95％左右。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
1) 结构电子材料是指能承受一定压力和重力, 并能保持尺寸和大部分力 学性质(强度,硬度及韧性等)稳定的一类材料;2）结构电子材料是指除强度性能外,还有性能,或能实现光, 电, 磁,热,力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料; 2. 按组成(化学作用) 按组成(化学作用)分:无机电子材料和有机电子材料 1) 无机电子材料以可分为金属材料(以金属键结合)和非金属材料( 非金属材料，);