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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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MOS管在电路中不都是起开关作用，还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。利用它低导通内阻特点作为开关的比较多。原理图基础知识
一般情况下，我们不会直接将电路板上的模拟电路设计图绘制在一起，这样的话，如果电路板过于复杂的话，整个原理图就会显得十分拥挤，不容易识别、分析，因此，我们可以将单独的元器件分离开来，作为一个单独的小模块，绘制在原理图上，这样我们就可以单独分析单个模块功能。
应避免明火或者高温热源。避免与其直接接触或在过热的环境中使用，以避免熔化和变形。 应定期检查。每六个月左右要对所以材料进行清洁和检查，以其品质和性能。 综上所述，电子化工材料是一种广泛应用的高分子材料，其用途包括制造电子元件、光电器件、LCD显示器、LED光源以及半导体等等。在日常存放和使用中，需要注意存放环境、防潮、避免压力、避免异物、避免热源等保养方法，以确保其品质和性能。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。