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在当今科技飞速发展的时代，电子元器件如同构建科技大厦的基石，发挥着至关重要的作用。
一、什么是电子元器件？
电子元器件是组成电子电路的基本单元，包括电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路等。它们各自承担着特定的功能，共同协作实现电子设备的各种复杂任务。
二、常见电子元器件的功能与特点
1. 电阻
电阻的主要作用是限制电流、分压和分流。不同阻值的电阻可以调节电路中的电流大小和电压分配。电阻的特点是具有一定的阻值，其阻值大小通常用色环或数字标注。
2. 电容
电容能够储存电荷和电场能量，具有通交流、隔直流的特性。在电路中，电容常用于滤波、耦合、定时等功能。电容的容量大小以法拉（F）为单位，常见的有微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等。
3. 电感
电感是一种能够储存磁场能量的元件，具有通直流、阻交流的特性。它在电路中主要用于滤波、振荡、延迟等。电感的电感量通常以亨利（H）为单位，也有毫亨（mH）和微亨（μH）等。
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片式元器件随着电子整机的小型化和生产，对元器件的体积要求更小，电路板上的元器件由插入式改为贴装式，片式元器件发展起来，它是无引线或短引线的片状的微型元器件。现在大多数元件都在向片式化发展。目前，世界上发达国家元器件中片式化率已达80％，世界也达50％，可以说，片式化是当前元器件的一个发展趋势。 片式元器件有片式电容、片式电阻、片式电感、片式晶体管、片式变压器，片式滤波器等等。但用量及产量大为片式电容和片式电阻，二者合计占当前片式元器件的95％左右。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
在一些芯片的电源管脚，采用LC滤波，有时会在L之后串联一个几欧姆的电阻，电阻起到全频段滤波的作用，还有一个作用就是降低电路的品质因数Q，Q定义为回路发生谐振时，储存能量与一周期内消耗能量之比。Q=（LC）^1/2 / R。RC电路的是电阻和电容一起使用的。晶体管构成的放大器要做到不失真地将信号电压放大，就晶体管的发射结正偏、集电结反偏。即应该设置它的工作点。所谓工作点就是通过外部电路的设置使晶体管的基、发射和集电处于所要求的电位(可根据计算获得)。这些外部电路就称为偏置电路(可理解为，设置PN结正、反偏的电路)，偏置电路向晶体管提供的电流就称为偏置电流。