博罗电子元器件回收现款现结
本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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注意:电阻R越小，上拉能力越大，但是会增大TTL端的饱和压降，导致TTL输出的低电平很高；
电阻R太大，会延缓TTL输出的上升沿。
由电阻器组成的阻抗匹配衰减器，它接在特性阻抗不同的两个网络中间，可以起到匹配阻抗的作用。阻抗匹配:严格来讲，当高速电路中，信号再传输介质上的传输时间大于信号上升沿或者下降沿的1/4时，该传输介质就需要阻抗匹配
五、全带宽滤波（吸收毛刺）
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
作用:密封剂用于填充和密封电子设备中的间隙和孔隙，水分、灰尘和其他污染物进入。 用途:在电子设备的制造过程中，密封剂用于保护电路板、连接器和其他敏感部件，环境因素对设备性能的负面影响。 作用:冷却剂用于控制电子设备和元件的温度，过热和损坏。用途:在高功率电子设备、电子散热器和半导体制造中，冷却剂广泛用于散热和温度控制，以确保设备正常工作。 作用:耐热涂层用于提高电子元件和设备的耐高温性能。