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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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敏感元件与传感器敏感元件是能敏锐感受并获取被测量对象信息(物理的、化学的、生物的信息)的电子元件。传感器则是能将感受获取的信息转换成有用的输出信号的器件。传感器由敏感元件和转换元件构成。 传感器的信息采集作用决定了它在信息产业中的重要和作用。由于信息的多样化又决定了敏感元件和传感器的多样性。一般有物理量传感器(如光敏、热敏、力敏、电压敏、磁敏、声敏、射线敏等)，还有化学传感器(如气体敏、湿度敏等)及生物量传感器等，品种约2万多种。不同的传感器采用不同的工作原理和不同的材料工艺，其间可谓千差万别，体现了传感器产品研制和生产的多样性、边缘性和综合性。世界市场约200亿美元，我国已能批量生产热敏、力敏、磁敏、气敏、湿敏、光敏等元件，但规模和水平与国外仍有较大差距。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
集成电路是由多个半导体器件、电子元件按设计要求实现电学互连而成的统一体。依据材料和工艺不同，分有半导体集成电路，厚膜电路， 薄膜混合电路，现在生产和使用的大多数是半导体集成电路(1C)。半导体集成电路按集成度(即每块芯片包含的元器件数)可分为小规模IC(／100个)、中规模IC(100--1000个)、大规模(1000---10万个)、超大规模(10万 一1000万个)、特大规模(1000万 一10亿个)、巨大规模(10亿以上)。按电路功能可分为数字IC，模拟IC，模拟／数字IC等。数字IC包括了存储器IC，逻辑IC，微处理器IC等。模拟IC包括线性放大器IC、运算放大器IC等。