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芯片和集成电路的区别
芯片和集成电路(Integrated Circuit)是密切相关的术语，但它们在某些方面有所区别:
定义:芯片(Chip)是指制造完整电子系统或设备所需的各种集成电路的集合，可以包括多个IC。而集成电路是把多个电子元件集成在一块半导体材料上的电子器件，可能是芯片中的一个组成部分。
含义:芯片强调了整个电子系统的概念，它可以包括多个IC、传感器、存储器等。而集成电路更侧重于描述将多个电子元件集成在同一块芯片上的技术和构造。
应用范围:芯片通常用于描述具有更高级功能的电子系统，例如移动设备、计算机、汽车等。而集成电路的应用范围更广泛，可以涵盖从简单的数字逻辑门到复杂的微处理器等。
虽然IC、芯片和集成电路这三个术语有着交叉和重叠的含义，但它们在使用时可以根据上下文的需要来区分。芯片侧重于整个电子系统的概念，而IC和集成电路更注重于单个或多个电子元件的集成和构造。在实际应用中，它们都扮演着重要的角色，推动着现代电子技术的发展和进步。
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地是参考0电位，电压都是参考地得出来的，地的标准要一致，故各种地应短接在一起。如果把模拟地和数字地大面积直接相连，会导致互相干扰，不短接又不妥。
我们可以用一个0欧的电阻来连接这两个地，而不是直接连在一起。这样做的好处就是，地线被分成了两个网络，在大面积铺铜等处理时，就会方便得多。
3.测试某条线路的电流时，可以去掉0欧姆电阻，接上电流表，方便测耗电流。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。