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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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，有许多常用的电子元器件，每种元器件都有其的功能和应用场合。本文将介绍常用的电子元器件及其在电路中的作用。电阻器是一种用来限制电流流动的元器件，其作用是通过产生电压降使电流不过大，以保护其他元器件不受损坏。电阻器也可用于分压、功率控制等应用。
电容器是一种能够存储电荷的元器件，其作用是在电路中存储和释放电能，用来平滑电流和电压信号，改善电路稳定性。
电感器是一种能够产生电磁感应的元器件，其作用是储存电能并抵抗电流的变化。电感器可以用于滤波器、频率选择器等应用。二管是一种只能让电流单向通过的元器件，其作用是将交流电转换为直流电，还可用作整流器、光电传感器等。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
一般在电源输出脚都会有一个滤波电容，如上图中的C，它起到的作用就是把电源输出脚的尖峰给弄平坦喽，使电源是一个稳定的电源。 由于电容的滤波作用，所以会在电源的输出端加一个大容量滤波电容，也会在负载的输入端也加一个大容量的的电容，这是为了负载的变化导致电压的波动，这个滤波大电容就能滤除这些变化产生的电压波动，使电压稳定在可接受的范围。自举电容和其他普通的电容相比较，没有太大的区别，主要还是用到了，电容两端的电压差不能突变的原理。当提高电容负端的电压时，正端的电压也会随之被抬高，压差保持不变。分压电路实际上是电阻的串联电路，它有以下几个特点: