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本篇只介绍低功率元器件,电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用,至于元器件怎么做出来的不做过多介绍,感兴趣可以自行百度。其他的话,座子和开关也不做介绍了,毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件,其在电路中对电流有阻碍作用,市面上有各种各样类型的电阻,如下图所示:
如果按功能进行分类的话,电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候,主要对其功能和参数进行考量。
在功能上,比如我们需要速度调节,此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻,我们可以选择贴片电阻
在参数上,我们主要对阻值、精度(采样电阻精度要求高点)、功率(同阻值一般封装大的电阻功率会大点)和电压(电压过大电阻可能烧毁)进行选择。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要,GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备;半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域,主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺,采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化,目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
软磁材料是容易磁化也容易退磁的磁性材料。金属软磁材料主要有铁硅合金、坡莫合金等;铁氧体软磁材料主要有锰锌铁氧体(重量产量占6096)镁锰锌铁氧体(占35%)和高频用镍锌铁氧体材料等。磁记录材料是磁记录、磁光记录中的数据载体材料和信息读写磁头的材料。作为磁记录材料,主要是各类磁粉(氧化铁、金属磁粉等)和基片材料(塑料薄膜、金属薄膜、玻璃片等)。作为磁头材料,主要是坡莫合金、铁氧体材料、镍铁薄膜、磁阻及巨磁阻材料等。作为磁光记录材料,主要有重稀土--过渡族金属非晶薄膜、多晶调制薄膜和石榴石多晶薄膜等。
图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:
1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。
2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。
以上两项参数在使用中都不能超过,否则二管将损坏。
还有一些用途的二管,如光电二管、发光二管等,也在电子制作中经常用到。
(二)晶体三管
晶体三管也是用半导体材料制成的,由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。