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任何一种电子设备或电子装置都是由电子元器件组成的，它们在电路中起着不同的作用，共同完成某种特定的“任务”。概括起来讲，电子元器件在电路中有以下几种作用。
一，电压交换
所说的电压交换有 3 方面的含义。一是电压高、低变换。将交流或直流高电压变换为需要的低电压，或者将交流或直流低电压变换为需要的高电压。对交流电压进行高、低变换一般需要使用变压器，对直流电压进行高、低变换则需要较为复杂的电子线路。二是交、直流变换，即将市电 220V 通过整流、滤波变换为电子线路（简称电路）所需要的直流电压或是将直流电通过逆变装置变换为交流电压，例如轿车修理中将蓄电池的直流 12V 变换为交流220V。三是稳压。利用稳压器件或稳压电路，将电压不太稳定的直流或交流电压变为非常稳定的电压，前者称为直流稳压，后者称为交流稳压。
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一般在电源输出脚都会有一个滤波电容，如上图中的C，它起到的作用就是把电源输出脚的尖峰给弄平坦喽，使电源是一个稳定的电源。 由于电容的滤波作用，所以会在电源的输出端加一个大容量滤波电容，也会在负载的输入端也加一个大容量的的电容，这是为了负载的变化导致电压的波动，这个滤波大电容就能滤除这些变化产生的电压波动，使电压稳定在可接受的范围。自举电容和其他普通的电容相比较，没有太大的区别，主要还是用到了，电容两端的电压差不能突变的原理。当提高电容负端的电压时，正端的电压也会随之被抬高，压差保持不变。分压电路实际上是电阻的串联电路，它有以下几个特点:
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:
1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。
2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。
以上两项参数在使用中都不能超过，否则二管将损坏。
还有一些用途的二管，如光电二管、发光二管等，也在电子制作中经常用到。
（二）晶体三管
晶体三管也是用半导体材料制成的，由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。