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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
单晶硅:中小尺寸为主。太阳能级硅单晶产量的大幅增加主要是受太阳能电池市场增长的拉动，以及国产单晶炉质量提高、价格较国外单晶炉低等原因。半导体级硅单晶总的发展状况趋于平稳。在硅材料中硅抛光片的技术含量高，抛光片的发展标志着国内硅产品的进步。我国的抛光片产量上涨势头良好，抛光片主要以4、5、6英寸为主。年硅外延片的产量中，我国只占的3.3%。目前，我国大部分企业只能生产4～6英寸硅外延片，8英寸、12英寸硅外延片正在研究试制。专家介绍说，硅材料市场前景广阔，我国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为公认的事实，为世界和我国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。
微调电阻器和电位器的标称值是它的大电阻值。如100K电位器，表示它的阻值可在零至100千欧内连续变化。2．额定功率。 指电阻器正常工作时允许的大功率。超过这个值，电阻器将过分发热而烧毁。在本章所涉及的电子制作中，如无要求，电阻器均采用1/8w的碳膜电阻。
两个彼此缘、互相靠近的导体就构成了一个电容器。两个导体叫作电容器的两个，分别用导线引出。电容器的文字符号是C。它的大小用电容量来衡量。电容量的基本单位是法拉（用F表示），还有较小的单位微法（μF）和皮法（PF），这三个单位的换算关系是:
元器件在电子电路设计和制造中起着重要的作用，用于实现电流控制、信号处理、开关控制和各种特定功能的实现。常用18个电子元器件 以下是常用的18个电子元器件:
1. 电阻器（Resistor）
2. 电容器（Capacitor）
3. 电感器（Inductor）
4. 二管（Diode）
普通小功率三管（Small Signal Transistor）功率三管（Power Transistor）7. 场效应管（Field Effect Transistor）