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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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应用:滤波器、耦合电路、定时电路等。3. 电感器（Inductor） 作用:储存磁能，限制电流变化，滤波。
应用:电源滤波器、振荡器、变压器等。
4. 二管（Diode）
作用:允许电流单向流动，整流，保护电路。
应用:整流电路、保护电路、信号调制等。
5. 晶体管（Transistor）
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
2 防电磁辐射纺织品电磁屏蔽是采用低电阻率的导电材料对电磁流具有的反射和引导作用，在导体材料内部产生与原磁场相反的电流和磁化，从而减弱原电磁场的辐射效果。用作防电磁辐射的导电纤维要求其电阻率很低。近年来，由于电子电器设备和通信设备的广泛应用，电磁辐射的干扰使设备产生的误操作、图像声音障碍以及对人体的危害等，引起人们对开发电磁屏蔽材料的关注。低电阻率的导电纤维的开发和市场的紧俏，也正是由此引发。利用导电纤维的电磁波屏蔽性，可将其用于制作精密电子元件、高频焊接机等电磁波屏蔽罩，制作有要求的房屋的墙壁、天花板及吸收无线电波的贴墙布等。日本应用表面敷铜的导电纤维混纺或制成非织造布，现已大量用于电磁波屏蔽和吸收材料，如作轮船的电磁波吸收罩等。
纳米材料和纳米技术纳米是长度度量单位，1纳米(1nm)为十亿分之一米，略等于45个原子排列的长度。当超微细材料特征尺寸为1nmm -100 nm范围时，称为纳米材料。纳米级范围的材料存在着尺寸效应和量子效应，会导致电学、磁学、光学、力学等性质发生奇异的变化，例如1991年发明的碳纳米管，重量相当于钢的六分之一，强度却是钢的十倍。纳米材料的种种特异功能，将可广泛制作各种神奇功能的纳米产品。在电子工业上，有纳米磁性和磁记录材料，纳米电子陶瓷材料，纳米有机存储材料，纳米电波吸波材料，纳米导电浆料等等。实际上，各个行业都将广泛应用纳米材料。