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任何一种电子设备或电子装置都是由电子元器件组成的，它们在电路中起着不同的作用，共同完成某种特定的“任务”。概括起来讲，电子元器件在电路中有以下几种作用。
一，电压交换
所说的电压交换有 3 方面的含义。一是电压高、低变换。将交流或直流高电压变换为需要的低电压，或者将交流或直流低电压变换为需要的高电压。对交流电压进行高、低变换一般需要使用变压器，对直流电压进行高、低变换则需要较为复杂的电子线路。二是交、直流变换，即将市电 220V 通过整流、滤波变换为电子线路（简称电路）所需要的直流电压或是将直流电通过逆变装置变换为交流电压，例如轿车修理中将蓄电池的直流 12V 变换为交流220V。三是稳压。利用稳压器件或稳压电路，将电压不太稳定的直流或交流电压变为非常稳定的电压，前者称为直流稳压，后者称为交流稳压。
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三管是一种具有放大作用的元器件，其作用是放大电流或电压信号。三管广泛应用于放大器、开关电路等领域。
六、集成电路:
集成电路是一种将多个元器件集成在一起的元器件，其作用是实现各种电路功能，并且具有体积小、功耗低、性高的特点。集成电路有数字集成电路和模拟集成电路之分，广泛应用于计算机、通信、控制等领域。
晶体管是一种具有电子控制特性的元器件，其作用是放大和开关电流信号。晶体管既可以作为放大器使用，也可以用作开关元件。变压器是一种用来改变交流电压和电流的元器件，其作用是实现电能的传输和变换。变压器广泛应用于电力系统、电子设备等领域。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
旁路就是把输入信号中一些高次谐波通过设计好的电容给直接通地，从而有效抗谐波干扰，这就是每一个芯片的电源脚边上都要放一个0.1uF的电容的原因，它就是起到旁路作用，把高次谐波直接通地，不让它进入系统内。去耦与旁路，其实是差不多的作用，区别就是位置上有些不同，旁路是去除输入信号的高频，把外界的谐波去除。去耦是把输出端的高频谐波信号去除，使输出信号干净。下图就很能说明问题:储能这个就是跟UPS(不间断供电系统)一样的，它就是通电的时候，电容会充电，而当电关闭以后，电路不会立即就断电，通过储能电容的放电，电路还能工作一段时间。这就是电容的储能作用。一般电解电容就是一种储能作用。滤波就是把一个有尖峰的信号，通过电容的滤波作用，变成一个平坦的波形。如下图所示: