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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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一般在电源输出脚都会有一个滤波电容，如上图中的C，它起到的作用就是把电源输出脚的尖峰给弄平坦喽，使电源是一个稳定的电源。 由于电容的滤波作用，所以会在电源的输出端加一个大容量滤波电容，也会在负载的输入端也加一个大容量的的电容，这是为了负载的变化导致电压的波动，这个滤波大电容就能滤除这些变化产生的电压波动，使电压稳定在可接受的范围。自举电容和其他普通的电容相比较，没有太大的区别，主要还是用到了，电容两端的电压差不能突变的原理。当提高电容负端的电压时，正端的电压也会随之被抬高，压差保持不变。分压电路实际上是电阻的串联电路，它有以下几个特点:
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:
1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。
2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。
以上两项参数在使用中都不能超过，否则二管将损坏。
还有一些用途的二管，如光电二管、发光二管等，也在电子制作中经常用到。
（二）晶体三管
晶体三管也是用半导体材料制成的，由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。