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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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电路中的VD1、VD2和VD3是普通二管，它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。在直流工作电压的正向偏置作用下导通，导通后对这一电路的作用是稳定了电路中A点的直流电压。电路中的二管VD1用来保护驱动三级管VT1。这种保护电路在继电器驱动和电磁铁吸铁电路中有广泛的应用。峰值检波电路是对输入信号幅值的大值进行检测，其工作原理是:当输入电压幅度大于二管正向电压时，二管导通，输出电压加在电容C1上，电容两端充电完毕，当输入电压幅值低于先前输入电压幅值时，二管处于反偏截止状态，此时，电容两端的电压基本保持不变；若再输入信号，输入电压幅度高于此时电容两端的电压（即加在二管的正向电压），二管才能导通。
图3晶体二管的单向导电性晶体二管的参数有两个:
1.大正向电流:二管导通时允许通过的大电流。
2.高反向电压:二管截止时加在二管上的高电压。
以上两项参数在使用中都不能超过，否则二管将损坏。
还有一些用途的二管，如光电二管、发光二管等，也在电子制作中经常用到。
（二）晶体三管
晶体三管也是用半导体材料制成的，由于结构不同分为PNP型和NPN型两大类。三管的文字符号是V。常用的三管的外形和图形符号如表3-5。
光纤、光纤预制棒材料:市场需求旺盛。光通信是我国推行以信息化带动工业化，建设信息社会的基石；目前我国光纤年需求量约占1/4，产量约占1/3，能否在光通信领域掌握主动权直接关系到国家信息和国民经济能否健康稳定发展。“十五”期间，我国在光纤预制棒的研究和生产中取得显着的成果。长飞公司对PCVD进行优化改进，制备了120mm大尺寸光棒，低水峰光纤达到世界水平，同时正在开发世界上的RIC大尺寸光棒拉丝工艺技术，富通集团、法尔胜股份公司的光纤预制棒生产规模也有不同程度的扩大并有少量出口。我国已成为世界光纤预制棒和光纤生产应用大国，北京国晶辉红外科技公司研制的四氯化锗材料年生产能力达20吨，替代了大部分产品。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。