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本篇只介绍低功率元器件，电源等大功率元器件不做介绍。此外本文重点是电子元器件的作用，至于元器件怎么做出来的不做过多介绍，感兴趣可以自行百度。其他的话，座子和开关也不做介绍了，毕竟这东西也没啥好介绍的
电阻的认识
电阻本质上就是将电能转化为内能并释放出去的电子元件，其在电路中对电流有阻碍作用，市面上有各种各样类型的电阻，如下图所示:
如果按功能进行分类的话，电阻大概可以分为以下三类:
我们在进行电阻选型的时候，主要对其功能和参数进行考量。
在功能上，比如我们需要速度调节，此时选择可变电阻。在PCB板上固定电阻，我们可以选择贴片电阻
在参数上，我们主要对阻值、精度（采样电阻精度要求高点）、功率（同阻值一般封装大的电阻功率会大点）和电压（电压过大电阻可能烧毁）进行选择。
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半导体材料半导体材料的品种门类繁多。从材料构成看，主要是硅半导体材料和化合物半导体材料二大类；从工艺构成看，主要是单晶片和外延片二大类。所谓外延，就是通过精密的物理或化学等方法在衬底材料上生成所需要的半导体功能材料。 硅单晶材料是目前世界上用量大的半导体材料，世界95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路是用硅材料制作的。，目前世界上硅单晶的主流产品是8英寸，12英寸亦已开始生产，研制水平已达到16英寸，而我国大量生产的是4-6英寸，8英寸只是小批量生产。
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
小，基本单位是欧姆（Ω）。主要本单位是法拉（F）。主要参数有应，基本单位 电子信息产业中所使用的, 能满足电子信息产业专门要求的一定规格的材料称为电子信息材料。它是电子信息产业发展的支柱 , 同时也是随着电子信息产业的发展而逐步发展起来的一个重要的精细化工分支。电子信息材料是当前材料科学的一个重要方面,品种多, 用途广,涉及面宽. 用途广,涉及面宽.是制作电子元器件和集成电路的基 础,是获得高性能高电子元器件和系统的. 是获得高性能高电子元器件和系统的.