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芯片和集成电路的区别
芯片和集成电路(Integrated Circuit)是密切相关的术语，但它们在某些方面有所区别:
定义:芯片(Chip)是指制造完整电子系统或设备所需的各种集成电路的集合，可以包括多个IC。而集成电路是把多个电子元件集成在一块半导体材料上的电子器件，可能是芯片中的一个组成部分。
含义:芯片强调了整个电子系统的概念，它可以包括多个IC、传感器、存储器等。而集成电路更侧重于描述将多个电子元件集成在同一块芯片上的技术和构造。
应用范围:芯片通常用于描述具有更高级功能的电子系统，例如移动设备、计算机、汽车等。而集成电路的应用范围更广泛，可以涵盖从简单的数字逻辑门到复杂的微处理器等。
虽然IC、芯片和集成电路这三个术语有着交叉和重叠的含义，但它们在使用时可以根据上下文的需要来区分。芯片侧重于整个电子系统的概念，而IC和集成电路更注重于单个或多个电子元件的集成和构造。在实际应用中，它们都扮演着重要的角色，推动着现代电子技术的发展和进步。
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通过各电阻的电流是同一电流，即各电阻中的电流相等；在串联电路中，电阻大的导体，它两端的电压也大，电压的分配与导体的电阻成正比，因此，导体串联具有分压作用。总电压等于各电阻上的电压降之和，在电路中应用如下图所示:在电源芯片输出管脚上一般选择分压电阻的精度很高，电阻的精度直接决定了输出电压的精度，如5%的电阻输出电压波动范围为10%，1%精度的电阻输出电压波动范围达到2%，因此选择精度高的；这个可以计算一下大致差不多的误差。二、限流/分流
砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
注意:电阻R越小，上拉能力越大，但是会增大TTL端的饱和压降，导致TTL输出的低电平很高；
电阻R太大，会延缓TTL输出的上升沿。
由电阻器组成的阻抗匹配衰减器，它接在特性阻抗不同的两个网络中间，可以起到匹配阻抗的作用。阻抗匹配:严格来讲，当高速电路中，信号再传输介质上的传输时间大于信号上升沿或者下降沿的1/4时，该传输介质就需要阻抗匹配
五、全带宽滤波（吸收毛刺）