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电子元器件的发展历程
从早期的电子管到如今的大规模集成电路，电子元器件经历了漫长的发展历程。电子管体积大、功耗高、寿命短，逐渐被半导体器件所取代。随着半导体技术的不断进步，集成电路的集成度越来越高，性能也不断提升。
四、电子元器件在日常生活中的应用
电子元器件无处不在，我们的手机、电脑、电视、汽车等各种设备中都大量使用了电子元器件。例如，手机中的芯片、显示屏、摄像头等都是由各种电子元器件组成的。汽车中的电子控制系统、音响系统、导航系统等也离不开电子元器件的支持。
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砷化镓材料:向大直径长尺寸发展。随着GaAs IC集成度的提高和降低成本的需要，GaAs材料总的发展趋势是晶体大直径、长尺寸化。用于光电子领域的砷化镓材料采用水平布里其曼法(HB)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备；半缘砷化镓材料主要应用于微电子领域，主要采用高压液封直拉法(HPLEC)、常压液封直拉法(LEC)、垂直布里其曼法(VB)和垂直梯度冷凝法(VGF)制备。VB/VGF技术在上已发展成为成熟的砷化镓晶体生长工艺，采用该技术生产的Ф76.2mm、Ф100mm的抛光片已商品化，目前国外半导体砷化镓材料的主流产品依然是Ф76.2mm。国内低阻砷化镓材料的主流产品为Ф50.8mm和Ф76.2mm。
近年来迅速推广的还有液晶显示器(LCD)，它是利用液态晶体物质分子排列对光线折射的各向异性原理工作，又分有单和彩液晶显示。对于单液晶，我国已能批量生产、是小面积低档TN型液晶我国已是世界主要产地，但彩液晶(主流产品是TFT--LCD，又叫薄膜晶体管液晶显示器)主要是日本、韩国产品占据市场。目前LCD已广泛用于小型显示设备，随着价格下降，未来在20″以下的电视和计算机领域会逐步占主流。
半导体照明:关键设备还很薄弱。我国LED完整的产业链已基本形成，在上游外延生长、中游芯片、下游封装与应用各环节均已进入量产阶段，不过目前在相应的关键设备方面还薄弱。据专家介绍，上游外延材料已实现了量产，但产业化水平不高，而外延和芯片制造的关键设备主要还是依赖；中游芯片制造与国外差距不大，GaN基LED芯片依赖的面正在改变，但企业规模与国外大公司相比差距较大；下游封装实现了大批量生产，我国正在成为世界重要的中低端LED封装基地；半导体照明光源及灯具已批量出口销售。我国LED市场规模平均增长率为34%。“十五”期间，在“国家半导体照明工程”的组织实施过程中，通过自主技术，材料研究与开发方面取得了许多重要突破并达到世界或领先水平；在材料的制备、结构与性能表征等基础研究方面取得了一批具有世界水平的成果。
高频、高速、稳定性 性、耐用性、性 耐高温、抗辐射、高性能总之，电子材料在各个行业中发挥着的作用，其市场需求在不断变化和增长，同时也面临着诸多挑战和机遇。 电子呆滞物料产生的原因分析: 1、预测降低，库存电子物料过多，造成仓库呆料积压； 2、客户取消订单，但是电子料已经采购入库，且无法作用在其他设备上； 生产标准不清晰，导致生产的电子产品需要维修，进而产生电子呆料；设计失误导致电子料生产出现问题，有效物料变成无效电子料；5、电子产品设计调整，以前采购的电子料无法使用，且未调整采购计划，导致电子料成为库存呆料；